CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE NANOFILMES DE SnTe PARA SENSORES DE LUZ EM AMPLA FAIXA DE FREQUÊNCIAS

Autores

  • LIZZIE TAVARES DE TOLEDO GAROFALO
  • Marcelos Lima Peres

DOI:

https://doi.org/10.29327/1626690.7-174

Palavras-chave:

Semicondutores, Isolantes Topológicos, Fotocondução, Localização Fraca

Resumo

O estudo da caracterização elétrica dos nanofilmes de SnTe demonstrou o potencial do material para aplicação em sensores de luz, principalmente em faixas de comprimentos de onda que variam do ultravioleta ao infravermelho. Os resultados de fotocondução indicaram que o SnTe, revestido com BaF2, responde de maneira significativa à luz azul, devido à maior energia desse comprimento de onda, embora o efeito de fotocondutividade negativa tenha sido observado em todas as amostras. Além disso, os resultados de magnetorresistência revelaram efeitos quânticos de localização fraca e anti-localização, reforçando a sensibilidade do SnTe a campos magnéticos. Esses achados sugerem que, com ajustes apropriados na dopagem e espessura, o SnTe pode ser otimizado para melhorar a eficiência de dispositivos optoeletrônicos, como sensores de luz, ampliando suas aplicações tecnológicas.

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Publicado

17.09.2025