PROPRIEDADES DE FOTOCONDUÇÃO E MAGNETOTRANSPORTE EM ISOLANTES TOPOLÓGICOS
DOI:
https://doi.org/10.29327/1626690.7-152Palavras-chave:
Dopagem com bismuto, Fotocondutividade, Telureto de chumbo e estanho, Transporte elétricoResumo
Neste trabalho foi investigado o efeito de fotocondutividade em filmes epitaxiais de Pb0,5Sn0,5Te não dopados e dopados com Bi. Os resultados mostraram que todas as amostras apresentaram resposta fotocondutora negativa de 300 a 80 K quando expostas ao comprimento de onda azul. Um estudo detalhado realizado na amostra dopada com 0,15% de bismuto revelou que a amostra apresenta efeito fotocondutor persistente após exposição à luz, com variação de temperatura de 300 K até 80 K. Esse efeito está relacionado à presença de níveis de armadilha com energia de ativação de (19 ± 2) meV, que influencia as taxas de geração/recombinação. Nós também observamos que a amostra dopada com 0,07% Bi apresenta uma menor energia de ativação (11 meV). Os resultados obtidos das medições de Hall indicam que a origem do efeito de fotocondutividade negativa está relacionada à diminuição da mobilidade dos portadores quando a amostra é exposta à luz. Além disso, a amostra, quando iluminada por diferentes comprimentos de onda de luz, exibe efeitos NPC e PPC reproduzíveis, revelando seu potencial para aplicação em dispositivos eletro-ópticos cujas propriedades, como tempo de recombinação, e amplitude da resposta condutora podem ser controladas conforme a necessidade, através da concentração do dopante.