INVESTIGAÇÃO DE PROPRIEDADES DE FOTOCONDUÇÃO EM SEMICONDUTORES DE GAP ESTREITO

Resumo

A mobilidade dos portadores é maior na amostra com capa (CC), especialmente a 77 K; em 77 K com o LED ligado, a mobilidade na CC é 12.26 cm²/Vs, enquanto na SC é 8.41 cm²/Vs. Isso indica que, em temperaturas mais baixas, a capa de BaF2 melhora a mobilidade dos portadores. A resistividade é maior na amostra sem capa (SC) em todas as condições, o que indica uma maior dificuldade no fluxo de corrente elétrica nessa amostra. Em 77 K com o LED ligado, a resistividade na SC é 2.53 Ω·cm, enquanto na CC é 1.49 Ω·cm.Sobre a concentração de portadores, a amostra sem capa (SC) apresenta uma maior concentração de portadores em ambas as temperaturas (300 K e 77 K), independentemente da presença de luz, comparado à amostra com capa. Por exemplo, em 300 K com o LED ligado, a concentração de portadores na SC é 2.88 x 1018 cm−3, enquanto na CC é 2.39 x 1018 cm−3. A amostra de SnTe sem a capa de BaF2 apresentou uma maior concentração de portadores de carga e fotocondução mais eficiente, especialmente a baixas temperaturas, o que a torna mais sensível à luz. No entanto, sua mobilidade e condutividade elétrica foram inferiores à da amostra com capa de BaF2, que, por sua vez, exibiu menor fotocondução, mas um transporte de carga mais eficiente devido à maior mobilidade e menor resistividade. Isso sugere que a escolha entre uma amostra com ou sem a capa de BaF2 deve depender do equilíbrio desejado entre sensibilidade à luz e eficiência de transporte de carga para a aplicação em questão.